삼성전자가 20일(현지 시각) 미국 실리콘밸리에 위치한 맥에너리 컨벤션 센터(McEnery Convention Center)에서 ‘메모리 역할의 재정의(Memory Reimagined)’라는 주제로 ‘삼성 메모리 테크 데이(Samsung Memory Tech Day) 2023’을 개최했다.
이번 행사는 글로벌 IT 고객과 파트너, 애널리스트 등 600여 명과 삼성전자 메모리사업부 이정배 사장, 미주 총괄 짐 엘리엇(Jim Elliott) 부사장, 업계 주요 인사 등이 참석한 가운데 진행됐다.
이날 삼성전자는 클라우드(Cloud), 에지 디바이스(Edge Devices), 차량(Automotive) 등 응용처별 기술 트렌드를 공유하고 ▲AI 기술 혁신을 이끌 초고성능 HBM3E D램 ‘샤인볼트(Shinebolt)’ ▲차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 ‘LPDDR5X CAMM2’ ▲스토리지 가상화를 통해 분할 사용이 가능한 ‘Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)’ 등 초거대 AI 시대를 주도할 차세대 메모리 솔루션을 공개했다.
에지 디바이스는 데이터를 생성·활용·소비하는 모든 기기로, 스마트폰을 포함한 모바일 기기, 웨어러블, 센서를 활용한 사물인터넷 기기, 생활 가전, 사무용 전자기기 등을 뜻한다.
삼성전자에 따르면 ‘샤인볼트’는 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps의 고성능을 제공하며, 이는 초당 최대 1.2TB 이상의 데이터를 처리할 수 있는 속도다. 1.2TB는 30GB 용량의 UHD 영화 40편을 1초 만에 처리할 수 있다.
업계 최초로 개발한 7.5Gbps LPDDR5X CAMM2(Compression Attached Memory Module)은 차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 제품이다.
‘Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)’는 최대 6500MB/s의 연속 읽기 속도를 지원하며, 4TB 용량을 제공한다. 또한 탈부착이 가능한 폼팩터로 구현돼 손쉽게 SSD를 교체할 수 있어 성능 업그레이드 등이 용이한 제품이다.
또한 삼성전자는 "9세대 V낸드에서 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이며, 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다"며 "셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고, 단수를 높이는 핵심 기술인 채널 홀 에칭으로 1000단 V낸드 시대를 준비해 나가겠다"고 설명했다.
채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)은 적층된 셀 층에 미세한 원통형 구멍을 뚫어 전자가 이동할 수 있는 채널 홀을 형성하는 건식 식각(드라이 에칭) 기술, 더블 스택(Double Stack)은 ‘채널 홀’ 공정을 두 번 진행해 만든 구조다.
삼성전자 메모리사업부 이정배 사장은 “초거대 AI 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차하는 지점으로, 업계에 더 큰 도약과 함께 도전의 시간이 될 것”이라며 “무한한 상상력과 담대한 도전을 통해 혁신을 이끌고, 고객·파트너와의 밀접한 협력으로 한계를 뛰어넘는 확장된 솔루션을 제공해 메모리 시장을 지속 선도해 나갈 것”이라고 말했다.
한편 이날 삼성전자는 데이터센터 내 에너지 효율성을 높여 환경 영향을 최소화하려는 시장 트렌드에 맞춰 다양한 혁신 기술을 발표하고, 지속 가능하게 하는 기술을 통해 글로벌 기후 위기 극복에 적극 동참하겠다고 밝혔다.
